JESD22-A108 IC可靠度寿命试验介绍

                                             JESD22-A108 IC可靠度寿命试验介绍
设定在静态或脉冲正向偏压模式。脉冲模式用来验证器件在Z大额定电流附近承受的应力。特定的偏置条件应由器件内固体结的Z大数量来决定。
(2)HTLO/LTOL(高温工作寿命试验/低温工作寿命试验)
HTOL一般用在逻辑或存储器件；LTOL一般用来寻找热载流子引起的失效，或用来试验存储器件或亚微米尺寸的器件。
器件工作在动态工作模式。
一般，一些输入参数也许被用来调整控制内部功耗，例如电源电压、时钟频率、输入信号等，这些参数也许工作在特定值之外，但在应力下会产生可预见的和非破坏性的行为。
特定的偏置条件应由器件内潜在的Z大数量的工作节点确定。
(3)HTRB(高温反向偏置试验)
HTRB用来试验功率器件。
器件一般工作在静态测试模式，试验在Z大额定击穿电压和/或电流附件器件承受的应力。
(4)HTGB(高温们偏置试验)
HTGB一般用在功率器件试验。
器件一般工作在静态模式，试验在Z大额定氧化物击穿电压附件器件承受的应力。
4.冷却
在移除偏置前，高温应力下的器件应冷却到55℃以下。
为了移动器件到与寿命测试的试验室分离的冷却位置上而中断偏置长达一分钟的情况不应视为移除偏置。
所有制定的电子测量应在所有器件重加热钱完成。
**偏置是指加载到电源引脚上的电压。